新(xin)傲在SOI材料研究方面居國內領先(xian)位置,并(bing)保持國際先(xian)進水平。
1) 2002年,新傲(ao)公司建立了國內(nei)第一條SIMOX SOI生(sheng)產(chan)線,并開(kai)發相關的(de)成套工藝,研制(zhi)出系列的(de)全(quan)劑(ji)量、中(zhong)等劑(ji)量和低劑(ji)量SIMOX產(chan)品(pin)。
2) 2005年,新傲開發出鍵合SOI材(cai)料(liao)生(sheng)產技術(shu);同年,在結(jie)合SIMOX和(he)鍵合技術(shu)的基礎上,新傲開(kai)發出具有自(zi)主(zhu)知識產權的Simbond®技(ji)術(ZL 200510028365.6)。
3) 2008年,新傲開發(fa)出另(ling)一項同樣具有自主知識產(chan)權的(de)BEST-SOI技術(ZL 200810201039.4)。
4) 2010年,新傲北區(qu)建成投產(chan),批量生產(chan)8英寸SOI/EPI產品。
5) 2014年(nian),瞄(miao)準RF、汽車(che)電子市場的蓬勃發展,新傲與(yu)法國Soitec公司(si)開展技術(shu)合作(zuo),引進注氫剝離(li)技術(shu),并于2015年(nian)實現(xian)SOI產(chan)品(pin)的量產(chan)。
6) 瞄準SOI器件及下一代(dai)微納電子材料的(de)應用,積極(ji)推進包(bao)括:高遷移率襯底材料、高k柵極(ji)介質材料、特種 SOI材料、SOI高壓器件以及硅基光互(hu)聯等(deng)方面的研究(jiu)工作。
新(xin)傲公司SOI主要專注下述領域:
SIMOX
Bonding
Simbond
Best SOI
Direct Si-Si Bonding
與此同時,新傲公(gong)司也致力于外延技(ji)術的發展:
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在紅(hong)外(wai)加熱筒式外(wai)延設備上(shang)開發重摻As襯底上(shang)的(de)外延工藝,抑制As的自摻雜效應,生長高阻、過渡區窄的外延層
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在紅外加熱筒式(shi)外延設備上實現厚度和電阻率(lv)均(jun)勻性好(hao)的1um左右(you)的BiCMOS用外延(yan)片(pian)
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雙埋(mai)層、As埋層電路襯底上高阻外延(yan)工藝開發
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全梯度和半梯度外延(yan)工藝開發并應用(yong)到全系列(lie)FRD產品
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新傲科技采用SIMOX,BONDING,SIMBOND和SSS四種工藝,利用先進設備來制備SOI材料,以確保圓片能夠達到國際半導體標準,并能夠滿足當今世界主流IC生產線的要求。 依靠強大而持續的技術支持,整合國產化襯底片良好的性價比以及強大而靈活的加工能力優勢,向客戶提供專業化的外延服務。